|
Квантовая электроника, 1987, том 14, номер 5, страницы 1047–1054
(Mi qe9072)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Применение лазеров и прочее
Кинетика образования приповерхностной лазерной плазмы в отсутствие разрушения поверхности
В. С. Воробьёв, С. В. Максименко Институт высоких температур АН СССР, Москва
Аннотация:
Рассмотрена кинетика возникновения плазмы вблизи поверхности тела, нагреваемого лазером. Предполагается, что температура поверхности в процессе нагрева не превосходит температуры кипения (сублимации) при заданном внешнем давлении и развитое испарение отсутствует. Для случая, когда характерное время изменения концентрации паров за счет нагрева поверхности велико по сравнению с характерным временем установления их распределения в пространстве, развита квазистационарная модель пробоя. Показано, что пробой паров и пробой окружающего газа происходят при различных интенсивностях лазерного излучения, а зависимость основных параметров приповерхностной лазерной плазмы от интенсивности излучения носит гистерезисный характер. Рассмотрен также случай, когда концентрация паров за счет нагрева меняется быстро по сравнению с характерным временем установления распределения паров. Показано, что при этом пробой паров материала мишени может сопровождаться пробоем окружающего газа. Проводится сопоставление с экспериментальными данными.
Поступила в редакцию: 28.03.1986
Образец цитирования:
В. С. Воробьёв, С. В. Максименко, “Кинетика образования приповерхностной лазерной плазмы в отсутствие разрушения поверхности”, Квантовая электроника, 14:5 (1987), 1047–1054 [Sov J Quantum Electron, 17:5 (1987), 664–669]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe9072 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v14/i5/p1047
|
|