Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1997, том 24, номер 2, страницы 169–172 (Mi qe899)  

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Активные среды

Инверсная населенность в разрядной плазме с неустойчивостями типа перетяжки

К. Н. Кошелевa, Х.-И. Кунцеb

a Институт спектроскопии РАН, г. Троицк, Москва
b Institut fur Experimentalphysik V, Ruhr-Universität Bochum, Germany
Аннотация: Обсуждена возможность использования сильных плазменных потоков, вытекающих из фокусов-перетяжек столба плазмы аксиального разряда. Селективная рекомбинация этих ионов в результате перезарядки на менее заряженных ионах в основном столбе плазмы или на нейтральных атомах в остаточном газе разрядной камеры может создать инверсию населенностей на переходах в мягкой рентгеновской и ВУФ областях спектра. Рассмотрены общие проблемы, возникающие в предлагаемой схеме, количественно оценена инверсия на переходах 4 → 3 в Li-подобных ионах кислорода с эффективным зарядом Z = 6 в пинчевых разрядах с импульсным напуском газа и током в несколько сотен килоампер.
Поступила в редакцию: 17.04.1995
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1997, Volume 27, Issue 2, Pages 164–167
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1997v027n02ABEH000899
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 52.75.Va, 52.55.Ez, 52.35.Py


Образец цитирования: К. Н. Кошелев, Х.-И. Кунце, “Инверсная населенность в разрядной плазме с неустойчивостями типа перетяжки”, Квантовая электроника, 24:2 (1997), 169–172 [Quantum Electron., 27:2 (1997), 164–167]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe899
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v24/i2/p169
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:144
    PDF полного текста:73
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024