Формирование микромодификаций в кристалле KDP при острой фокусировке фемтосекундного лазерного излучения видимого диапазона

Исследован процесс формирования микромодификаций в объеме кристалла KDP при острой фокусировке импульсов фемтосекундного лазерного излучения (λ ≈ 600 нм, длительность импульсов 100 и 200 фс, энергия 0.02–10 мкДж). Предложена теоретическая модель, описывающая начальный этап возникновения плазменного канала с учетом полевой ионизации и нагрева электронной компоненты плазмы. Оценены интенсивность лазерного импульса (~10¹³ Вт/см²), концентрация электронов (~10²⁰ см^-3) и средняя температура электронов (5 эВ) в плазменном канале.