|
Квантовая электроника, 2005, том 35, номер 7, страницы 605–610
(Mi qe8967)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Активные среды
Мощный источник спонтанного излучения в УФ области: режимы возбуждения
Е. Х. Бакштa, М. И. Ломаевa, А. Н. Панченкоa, Д. В. Рыбкаa, В. Ф. Тарасенкоa, М. Кришнанb, Д. Томпсонb a Институт сильноточной электроники СО РАН, г. Томск
b Alameda Applied Sciences Corporation, USA
Аннотация:
Проведены исследования различных режимов возбуждения разряда в импульсной ксеноновой лампе. Показано, что при переходе от колебательного режима протекания тока разряда к режиму однополярного импульса мощность излучения в УФ области возрастает, а длительность импульса излучения на полувысоте уменьшается. Максимальная плотность мощности УФ излучения разряда, ограниченного стенками колбы лампы, составила ~700 кВт/см2 на внутренней поверхности колбы и ~380 кВт/см2 на внешней.
Поступила в редакцию: 18.04.2005
Образец цитирования:
Е. Х. Бакшт, М. И. Ломаев, А. Н. Панченко, Д. В. Рыбка, В. Ф. Тарасенко, М. Кришнан, Д. Томпсон, “Мощный источник спонтанного излучения в УФ области: режимы возбуждения”, Квантовая электроника, 35:7 (2005), 605–610 [Quantum Electron., 35:7 (2005), 605–610]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe8967 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v35/i7/p605
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 170 | PDF полного текста: | 92 | Первая страница: | 1 |
|