Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 4, страницы 859–862 (Mi qe8925)  

Краткие сообщения

Влияние собственного излучения на развитие ионизационной неустойчивости несамостоятельного разряда, возбуждающего эксимерные лазеры

А. Т. Рахимов, Н. В. Суетин

Научно-исследовательский институт ядерной физики МГУ, Москва
Аннотация: Показано, что собственное лазерное излучение среды может существенно влиять на развитие во времени различных компонентов плазмы несамостоятельного газового разряда, возбуждающего эксимерные лазеры.
Поступила в редакцию: 26.09.1978
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, Volume 9, Issue 4, Pages 510–512
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1979v009n04ABEH008925
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.826
PACS: 52.80.Hc, 42.55.Fn


Образец цитирования: А. Т. Рахимов, Н. В. Суетин, “Влияние собственного излучения на развитие ионизационной неустойчивости несамостоятельного разряда, возбуждающего эксимерные лазеры”, Квантовая электроника, 6:4 (1979), 859–862 [Sov J Quantum Electron, 9:4 (1979), 510–512]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe8925
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v6/i4/p859
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:125
    PDF полного текста:68
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024