Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 4, страницы 845–848 (Mi qe8920)  

Краткие сообщения

Исследование столкновений в SF6 методами лазерной спектроскопии

Л. С. Василенко, М. Н. Скворцов, Н. Н. Рубцова, В. П. Чеботаев

Институт теплофизики СО АН СССР, Новосибирск
Аннотация: Исследованы резонансы насыщения в поглощении молекулы SF6, возникающие при взаимодействии насыщающей сильной и пробной слабой волн излучения двух CO2 -лазеров, распространяющихся в поглощающей ячейке либо в одном направлении, либо навстречу друг другу. Для области давлений SF6 20–350 мкм рт. ст. ширины резонансов линейно растут с давлением, и в пределах точности эксперимента ширина резонанса для случая встречных волн равна удвоенной ширине резонанса в однонаправленных волнах, а форма резонансов при слабом насыщении описывается в обоих случаях лоренцианом. Интерпретация этих результатов в модели трех релаксационных констант для двухуровневой системы при большом вырождении уровней позволяет сделать вывод, что верхний и нижний колебательно-вращательные уровни SF6 имеют одинаковую вероятность тушения при столкновениях, а столкновения, сбивающие фазу, практически отсутствуют.
Поступила в редакцию: 20.09.1978
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, Volume 9, Issue 4, Pages 501–503
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1979v009n04ABEH008920
Тип публикации: Статья
УДК: 621.375.82
PACS: 34.50.Ez, 42.60.Kg


Образец цитирования: Л. С. Василенко, М. Н. Скворцов, Н. Н. Рубцова, В. П. Чеботаев, “Исследование столкновений в SF6 методами лазерной спектроскопии”, Квантовая электроника, 6:4 (1979), 845–848 [Sov J Quantum Electron, 9:4 (1979), 501–503]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe8920
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v6/i4/p845
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:114
    PDF полного текста:71
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024