|
Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 4, страницы 833–836
(Mi qe8916)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)
Краткие сообщения
Нестационарная оптическая память в кристалле ниобата лития
И. Б. Барканab, А. В. Воробьевab, С. И. Маренниковab a Институт теплофизики CO АН СССР, Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
Аннотация:
Получены временные, температурные и концентрационные зависимости процессов образования и релаксации фазовых голограмм в ниобате лития, легированном железом. На объемной фазовой голографической решетке с периодом 0,69 мкм и толщиной 14 мм получены угловая селективность 22" и спектральная селективность 1,36 Å.
Поступила в редакцию: 05.07.1978
Образец цитирования:
И. Б. Баркан, А. В. Воробьев, С. И. Маренников, “Нестационарная оптическая память в кристалле ниобата лития”, Квантовая электроника, 6:4 (1979), 833–836 [Sov J Quantum Electron, 9:4 (1979), 492–494]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe8916 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v6/i4/p833
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 108 | PDF полного текста: | 76 |
|