Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 3, страницы 635–638 (Mi qe8886)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Краткие сообщения

Влияние истощения накачки на процесс сверхизлучения при комбинационном рассеянии света

В. И. Емельянов, В. Н. Семиногов

Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова
PDF полного текста (569 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: С учетом истощения накачки в одномодовом приближении рассмотрен процесс сверхизлучения при комбинационном рассеянии (СИКР) света. Исследована динамика разности населенностей и временная форма импульса СИКР. Показано, что учет истощения накачки выявляет дополнительное условие наблюдения СИКР – ограничение на плотность среды сверху на уровне ~1019 см–3. Отмечается, что вследствие этого наблюдение СИКР более вероятно в газовых средах.
Поступила в редакцию: 07.08.1978
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, Volume 9, Issue 3, Pages 383–385
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1979v009n03ABEH008886
Тип публикации: Статья
УДК: 535.375.5
PACS: 42.65.Cq


Образец цитирования: В. И. Емельянов, В. Н. Семиногов, “Влияние истощения накачки на процесс сверхизлучения при комбинационном рассеянии света”, Квантовая электроника, 6:3 (1979), 635–638 [Sov J Quantum Electron, 9:3 (1979), 383–385]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe8886
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v6/i3/p635
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:165
    PDF полного текста:63
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024