Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 8, страницы 1735–1740 (Mi qe8794)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Оптоэлектроника, волоконная оптика и другие вопросы квантовой электроники

Влияние рэлеевского обратного рассеяния на модовый состав излучения в многомодовых градиентных волноводах с квадратичным профилем показателя преломления

Г. Л. Есаян, С. Г. Кривошлыков

Институт общей физики АН СССР, Москва
Аннотация: Метод когерентных состояний использован для описания рэлеевского рассеяния в многомодовом градиентном волноводе с квадратичным профилем показателя преломления. Получены явные выражения для коэффициентов возбуждения гаусс-эрмитовых мод обратного рассеяния в двух практически важных случаях: возбуждения волновода протяженным некогерентным источником излучения и селективного возбуждения на входе волновода различных мод. Рассмотрены также коэффициенты связи между прямыми и обратными модами. В двух частных случаях возбуждения волновода (протяженным источником излучения и нулевой модой) получены явные выражения для коэффициентов захвата обратнорассеянного излучения в волновод.
Поступила в редакцию: 08.04.1988
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1989, Volume 19, Issue 8, Pages 1116–1120
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1989v019n08ABEH008794
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 681.7.068.4
PACS: 42.81.Qb, 42.81.Dp


Образец цитирования: Г. Л. Есаян, С. Г. Кривошлыков, “Влияние рэлеевского обратного рассеяния на модовый состав излучения в многомодовых градиентных волноводах с квадратичным профилем показателя преломления”, Квантовая электроника, 16:8 (1989), 1735–1740 [Sov J Quantum Electron, 19:8 (1989), 1116–1120]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe8794
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v16/i8/p1735
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024