Полупроводниковый лазер с голографическим селектором

Рассматривается полупроводниковый лазер с голографическим селектором во внешнем резонаторе. Показано влияние эффективности обратной связи на пороговые характеристики, диапазон перестройки в режиме генерации узкой спектральной линии и когерентные свойства излучения. Достигнуты снижение порогового тока лазера на гетероструктуре на 26% без просветления торца, сохранение режима генерации в спектральной линии шириной 0,015 нм до 2,5-кратного превышения порогового тока и диапазон перестройки излучения 15 нм.