Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 2, страницы 345–348 (Mi qe8732)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Нелинейная восприимчивость третьего порядка ионных кристаллов вблизи комбинационных и двухфотонных резонансов

Л. Б. Мейснер, Н. Г. Хаджийски

Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова
Аннотация: Исходя из динамической теории кристаллических решеток впервые дано количественное описание экспериментальных результатов по измерениям рамановской и резонансной двухфотонной восприимчивостей ионных кристаллов.
Поступила в редакцию: 28.03.1978
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, Volume 9, Issue 2, Pages 199–201
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1979v009n02ABEH008732
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378
PACS: 42.65.Cq, 63.20.Dj


Образец цитирования: Л. Б. Мейснер, Н. Г. Хаджийски, “Нелинейная восприимчивость третьего порядка ионных кристаллов вблизи комбинационных и двухфотонных резонансов”, Квантовая электроника, 6:2 (1979), 345–348 [Sov J Quantum Electron, 9:2 (1979), 199–201]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe8732
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v6/i2/p345
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024