|
Квантовая электроника, 1987, том 14, номер 4, страницы 892–894
(Mi qe8720)
|
|
|
|
Применение лазеров, другие вопросы квантовой электроники
Исследование долговечности непрерывных инжекционных лазеров на основе GaAlAs/GaAs
П. Г. Елисеев, Г. Т. Пак, В. В. Поповичев, С. М. Сапожников Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Проведены испытания лабораторных образцов непрерывных лазеров на основе GaAlAs/GaAs на долговечность при комнатной и повешенных температурах. Путем перерасчета к комнатной температуре получено распределение отказов логарифмически нормального типа со среднем значением технического ресурса 3,1·105 ч.
Поступила в редакцию: 03.07.1986
Образец цитирования:
П. Г. Елисеев, Г. Т. Пак, В. В. Поповичев, С. М. Сапожников, “Исследование долговечности непрерывных инжекционных лазеров на основе GaAlAs/GaAs”, Квантовая электроника, 14:4 (1987), 892–894 [Sov J Quantum Electron, 17:4 (1987), 566–568]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe8720 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v14/i4/p892
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 114 | PDF полного текста: | 59 | Первая страница: | 1 |
|