Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1996, том 23, номер 12, страницы 1077–1080 (Mi qe871)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Активные среды

Возбуждение состояния $B^2\Sigma_{1/2}^+$ молекул HgBr$^*$ в газоразрядной плазме на смеси дибромида ртути с гелием

А. Н. Малинин, Л. Л. Шимон

Ужгородский национальный университет
Аннотация: Экспериментально исследовано образование отрицательного иона Br$^-$ в смеси HgBr$_2$–He, использовавшейся в первых работах исследователей в качестве рабочей смеси в активном элементе HgBr-лазера. Обнаружено, что константа скорости образования Br$^-$ составляет (14 – 7)$\cdot10^{-11}$ см$^3$/с при изменении параметра $E/N$ от $2\cdot10^{-17}$ до $4\cdot10^{-16}$ В$\cdot$см$^2$. При сравнении результатов этих исследований с данными, полученными ранее авторами настоящей работы (теоретически), выявлено соотношение между продуктами Br$^-$ и Br,e в процессе возбуждения состояния $B^2\Sigma_{1/2}^+$ молекулы HgBr$^*$ в газоразрядной плазме смеси HgBr$_2$ – He (степень ионизации не более 10$^{-6}$). Определено, что возбуждение электронами молекул HgBr$^*$ с образованием Br$^-$ происходит в основном при низких $E/N$ (менее $3\cdot10^{-17}$ В$\cdot$см$^2$) с увеличением $E/N$ доля Br$_-$ (по сравнению с образованием Br, e) уменьшается и при $E/N=4\cdot10^{-16}$ В$\cdot$см$^2$ составляет $\sim$1%.
Поступила в редакцию: 01.01.1996
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1996, Volume 26, Issue 12, Pages 1047–1050
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1996v026n12ABEH000871
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 52.25.Jm, 34.80.Ht, 42.55.Lt
Образец цитирования: А. Н. Малинин, Л. Л. Шимон, “Возбуждение состояния $B^2\Sigma_{1/2}^+$ молекул HgBr$^*$ в газоразрядной плазме на смеси дибромида ртути с гелием”, Квантовая электроника, 23:12 (1996), 1077–1080 [Quantum Electron., 26:12 (1996), 1047–1050]
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MalShi96}
\by А.~Н.~Малинин, Л.~Л.~Шимон
\paper Возбуждение состояния $B^2\Sigma_{1/2}^+$ молекул HgBr$^*$ в газоразрядной плазме на смеси дибромида ртути с гелием
\jour Квантовая электроника
\yr 1996
\vol 23
\issue 12
\pages 1077--1080
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe871}
\transl
\jour Quantum Electron.
\yr 1996
\vol 26
\issue 12
\pages 1047--1050
\crossref{https://doi.org/10.1070/QE1996v026n12ABEH000871}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=A1996WC23900006}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe871
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v23/i12/p1077
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:169
    PDF полного текста:69
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024