|
Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 1, страницы 92–97
(Mi qe8688)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Применение лазеров на центрах окраски в щелочно-галоидных кристаллах для внутрирезонаторной лазерной
спектроскопии
В. М. Баев, В. Ф. Гамалий, Б. Д. Лобанов, Е. Ф. Мартынович, Э. А. Свириденков, А. Ф. Сучков, В. М. Хулугуров Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Получена генерация на F2+-центрах в LiF, стабилизированных примесью ОН при накачке светом рубинового лазера в режиме свободной генерации. Спектральная область генерации оказалась равной 0,84–1,13 мкм. В неселективном резонаторе методом внутрирезонаторной лазерной спектроскопии (ВЛС) получен спектр поглощения атмосферного воздуха в области 0,9–0,98 мкм. Чувствительность определялась длительностью импульсов накачки 1 мкс и составила 3·10–5см–1. В этой же спектральной области получены спектры поглощения C2H2, CH3OH и CH4. Показана перспективность применения лазеров на центрах окраски в щелочногалоидных кристаллах в методе ВЛС.
Поступила в редакцию: 28.05.1978
Образец цитирования:
В. М. Баев, В. Ф. Гамалий, Б. Д. Лобанов, Е. Ф. Мартынович, Э. А. Свириденков, А. Ф. Сучков, В. М. Хулугуров, “Применение лазеров на центрах окраски в щелочно-галоидных кристаллах для внутрирезонаторной лазерной
спектроскопии”, Квантовая электроника, 6:1 (1979), 92–97 [Sov J Quantum Electron, 9:1 (1979), 51–54]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe8688 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v6/i1/p92
|
|