| Квантовая электроника |
|
|
|
|
|
Взаимодействие лазерного излучения с веществом Получение предельно высоких концентраций F2-ЦО в кристаллах фторида лития с помощью лазерно-плазменного источника мягкого рентгеновского излучения С. Б. Миров, П. П. Пашинин, В. С. Сидорин, Е. И. Шкловский Институт общей физики АН СССР, Москва
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1989, Volume 19, Issue 8, Pages DOI: https://doi.org/10.1070/QE1989v019n08ABEH008685 
Реферативные базы данных:
 Образец цитирования: С. Б. Миров, П. П. Пашинин, В. С. Сидорин, Е. И. Шкловский, “Получение предельно высоких концентраций F2-ЦО в кристаллах фторида лития с помощью лазерно-плазменного источника мягкого рентгеновского излучения”, Квантовая электроника, 16:8 (1989), |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Обратная связь: |
Пользовательское соглашение
|
Регистрация посетителей портала |
Логотипы |
|