|
Квантовая электроника, 1996, том 23, номер 11, страницы 1045–1050
(Mi qe864)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники
Об охлаждении полупроводников лазерным излучением
А. Н. Ораевский Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
Аннотация:
Развита модель, описывающая охлаждение полупроводникового образца лазерным излучением. Наряду с вынужденными межзонными переходами учтены спонтанная излучательная и безызлучательная рекомбинации носителей, поглощение излучения свободными носителями, перепоглощение спонтанно испущенных фотонов в объеме охлаждаемого образца, насыщение коэффициента поглощения. Оценены оптимальная интенсивность лазерного излучения и минимально достижимая температура носителей в охлаждаемом образце.
Поступила в редакцию: 01.01.1996
Образец цитирования:
А. Н. Ораевский, “Об охлаждении полупроводников лазерным излучением”, Квантовая электроника, 23:11 (1996), 1045–1050 [Quantum Electron., 26:11 (1996), 1018–1022]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe864 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v23/i11/p1045
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 158 | PDF полного текста: | 87 |
|