Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1987, том 14, номер 4, страницы 834–835 (Mi qe8600)  
Активные среды, резонаторы

Влияние поля генерации на поглощение излучения накачки в трехуровневой системе

В. Ю. Баранов, Д. Д. Малюта, А. П. Стрельцов, С. В. Хоменко

Институт атомной энергии им. И. В. Курчатова, Москва
PDF полного текста (371 kB)
Аннотация: Для импульсного CF4-лазера наблюдалось уменьшение поглощения излучения накачки под действием поля генерации. Эффект обусловлен двухфотонными процессами и проявляется при малых отстройках частот излучений от резонанса. Результаты расчета, проведенного на основе стационарной трехуровневой модели, хорошо согласуются с экспериментом.
Поступила в редакцию: 10.07.1986
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1987, Volume 17, Issue 4, Pages 523–525
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1987v017n04ABEH008600
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826
PACS: 42.55.Ks, 42.60.Da, 33.80.Wz, 33.80.Be


Образец цитирования: В. Ю. Баранов, Д. Д. Малюта, А. П. Стрельцов, С. В. Хоменко, “Влияние поля генерации на поглощение излучения накачки в трехуровневой системе”, Квантовая электроника, 14:4 (1987), 834–835 [Sov J Quantum Electron, 17:4 (1987), 523–525]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe8600
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v14/i4/p834
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024