|
Квантовая электроника, 1996, том 23, номер 11, страницы 1009–1012
(Mi qe856)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Нелинейно-оптические явления
Безрезонаторная оптическая бистабильность в тонкой пленке полупроводника при возбуждении экситонов и биэкситонов
П. И. Хаджи, С. Л. Гайван Институт прикладной физики АН Молдовы, г. Кишинев
Аннотация:
Теоретически изучено нелинейное стационарное пропускание резонансного лазерного излучения тонкой пленкой полупроводника в условиях двухимпульсного возбуждения экситонов и биэкситонов. Найдены уравнения состояния, описывающие бистабильное поведение выходных амплитуд и концентраций квазичастиц в зависимости от параметров возбуждающих полей. Определены критерии существования оптической бистабильности.
Поступила в редакцию: 01.01.1996
Образец цитирования:
П. И. Хаджи, С. Л. Гайван, “Безрезонаторная оптическая бистабильность в тонкой пленке полупроводника при возбуждении экситонов и биэкситонов”, Квантовая электроника, 23:11 (1996), 1009–1012 [Quantum Electron., 26:11 (1996), 984–987]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe856 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v23/i11/p1009
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 157 | PDF полного текста: | 67 |
|