Ф. В. Бункин, В. И. Держиев, Е. Л. Латуш, И. И. Муравьев, М. Ф. Сэм, Г. Д. Чеботарев, С. И. Яковленко, А. М. Янчарина, “Инверсия и генерация на переходе NeI λ= 585,3 нм в разрядах с «жесткой составляющей»”, Квантовая электроника, 13:12 (1986), 2531–2533 [Sov J Quantum Electron, 16:12 (1986), 1674

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 12, страницы 2531–2533 (Mi qe8536)

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Краткие сообщения

Инверсия и генерация на переходе NeI λ= 585,3 нм в разрядах с «жесткой составляющей»

Ф. В. Бункин, В. И. Держиев, Е. Л. Латуш, И. И. Муравьев, М. Ф. Сэм, Г. Д. Чеботарев, С. И. Яковленко, А. М. Янчарина

Институт общей физики АН СССР, Москва

PDF полного текста (613 kB) Список цитирования (1)

Аннотация: Исследованы механизмы формирования инверсии населенностей уровней Nel за счет пеннинговских столкновений с Ar и H₂ в разряде пучкового типа с сетчатым анодом. Получена генерация в смеси Ne–H₂ в разряде с полым катодом.

Поступила в редакцию: 17.03.1986

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1986, Volume 16, Issue 12, Pages 1674–1676
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1986v016n12ABEH008536

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 42.55.Lt, 52.80.Hc, 42.60.Jf, 42.60.Da, 42.60.Lh

Образец цитирования: Ф. В. Бункин, В. И. Держиев, Е. Л. Латуш, И. И. Муравьев, М. Ф. Сэм, Г. Д. Чеботарев, С. И. Яковленко, А. М. Янчарина, “Инверсия и генерация на переходе NeI λ= 585,3 нм в разрядах с «жесткой составляющей»”, Квантовая электроника, 13:12 (1986), 2531–2533 [Sov J Quantum Electron, 16:12 (1986), 1674–1676]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe8536

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v13/i12/p2531

Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	165
PDF полного текста:	98
Первая страница:	1

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы