Исследование деградации отпаянных полупроводниковых лазеров с электронной накачкой

Исследованы причины деградации активных элементов отпаянных полупроводниковых GaAs-лазеров с поперечной накачкой импульсным электронным пучком. Показано, что после испытаний приборов в режиме рабочих параметров накачки в течение 5·10⁶ импульсов основным фактором, снижающим выходную мощность излучения, является световое саморазрушение отдельных участков кристалла из-за неоднородности накачки. В режиме ускоренных испытаний с частотой 3 кГц при числе импульсов до 5·10⁷ происходит усталостное разрушение активной области кристалла при циклическом воздействии электронного луча и собственного лазерного излучения.