Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1996, том 23, номер 11, страницы 995–998 (Mi qe852)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Активные среды

Поглощение из возбужденного состояния в кристалле иттрий-алюминиевого граната, легированного ионами V3+

К. В. Юмашев, Н. В. Кулешов, А. М. Маляревич, П. В. Прокошин, В. Г. Щербицкий, Н. Н. Поснов, В. П. Михайлов, В. А. Сандуленко

Международный лазерный центр при Белорусском национальном техническом университете, г. Минск
Аннотация: Для кристалла Y3Al5O12:V3+ исследованы дифференциальные спектры поглощения, измеренные методом пикосекундного возбуждения–зондирования. На основе анализа полученных данных сделано предположение о том, что наблюдаемые в области 850 — 890 нм и 650 — 770 нм полосы наведенного поглощения обусловлены соответственно переходами из возбужденного состояния 1E(1D) → 1T1(1G) и 1E(1D) → 1E(1G), 1T2(1G) иона V3+ в тетраэдрической координации. Время жизни уровня 1E(1D) оценивается как ~130 пс. Наблюдалось также просветление полосы поглощения 3A2 → 3T1(3P) тетраэдрического иона V3+.
Поступила в редакцию: 01.01.1996
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1996, Volume 26, Issue 11, Pages 970–973
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1996v026n11ABEH000852
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 78.40.Ha, 42.70.Hj, 42.55.Rz


Образец цитирования: К. В. Юмашев, Н. В. Кулешов, А. М. Маляревич, П. В. Прокошин, В. Г. Щербицкий, Н. Н. Поснов, В. П. Михайлов, В. А. Сандуленко, “Поглощение из возбужденного состояния в кристалле иттрий-алюминиевого граната, легированного ионами V3+”, Квантовая электроника, 23:11 (1996), 995–998 [Quantum Electron., 26:11 (1996), 970–973]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe852
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v23/i11/p995
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:203
    PDF полного текста:189
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024