Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1996, том 23, номер 11, страницы 991–994 (Mi qe851)  

Лазеры

Параметр насыщения и мощность излучения в аргоновом лазере

А. А. Аполонский

Институт автоматики и электрометрии СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация: Исследования аргонового лазера с широкоапертурной разрядной трубкой позволили сделать вывод о том, что к известным причинам насыщения мощности генерации следует добавить еще одну — насыщение тушения верхнего рабочего уровня. Зависимости мощности излучения и параметра насыщения от давления газа на линии 488 нм отличаются от аналогичных зависимостей для линии 514 нм, что свидетельствует о том, что электронное тушение не является единственным для рабочих уровней возбужденного иона в плазме аргонового лазера.
Поступила в редакцию: 01.01.1996
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1996, Volume 26, Issue 11, Pages 966–969
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1996v026n11ABEH000851
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Lt, 42.60.Lh


Образец цитирования: А. А. Аполонский, “Параметр насыщения и мощность излучения в аргоновом лазере”, Квантовая электроника, 23:11 (1996), 991–994 [Quantum Electron., 26:11 (1996), 966–969]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe851
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v23/i11/p991
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:140
    PDF полного текста:181
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024