Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1978, том 5, номер 1, страницы 211–214 (Mi qe8454)  

Краткие сообщения

Излучательные характеристики одноканального инжекционного лазера на основе GaAs

В. С. Каргапольцев, Е. П. Малыгин, В. К. Малышев, В. И. Молочев, К. Н. Нарзуллаев, В. В. Никитин, А. С. Семенов, О. Н. Таленский

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация: Приведены результаты исследований излучательных характеристик лазерных диодов с областью свечения несколько микрометров. Особенность таких лазеров состоит в том, что они работают на одной продольной моде в широком диапазоне токов инжекции при температуре 77 K. Максимальная мощность генерации в одной моде достигала ~ 50 мВт в непрерывном режиме генерации. Одноканальные инжекционные лазеры обладают высокой когерентностью, длина когерентности составляет более 10 м. Проведено сравнение энергетических характеристик лазеров с шириной активной области 6 и 200 мкм, работающих в одночастотном режиме генерации. Показано, что одноканальные диоды в 10 раз эффективнее преобразуют электрическую энергию в когерентное излучение по сравнению с широкими диодами.
Поступила в редакцию: 15.07.1977
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1978, Volume 8, Issue 1, Pages 130–132
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1978v008n01ABEH008454
Тип публикации: Статья
УДК: 621.382.3
PACS: 42.55.Px


Образец цитирования: В. С. Каргапольцев, Е. П. Малыгин, В. К. Малышев, В. И. Молочев, К. Н. Нарзуллаев, В. В. Никитин, А. С. Семенов, О. Н. Таленский, “Излучательные характеристики одноканального инжекционного лазера на основе GaAs”, Квантовая электроника, 5:1 (1978), 211–214 [Sov J Quantum Electron, 8:1 (1978), 130–132]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe8454
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v5/i1/p211
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024