|
Квантовая электроника, 1978, том 5, номер 1, страницы 211–214
(Mi qe8454)
|
|
|
|
Краткие сообщения
Излучательные характеристики одноканального инжекционного лазера на основе GaAs
В. С. Каргапольцев, Е. П. Малыгин, В. К. Малышев, В. И. Молочев, К. Н. Нарзуллаев, В. В. Никитин, А. С. Семенов, О. Н. Таленский Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Приведены результаты исследований излучательных характеристик лазерных диодов с областью свечения несколько микрометров. Особенность таких лазеров состоит в том, что они работают на одной продольной моде в широком диапазоне токов инжекции при температуре 77 K. Максимальная мощность генерации в одной моде достигала ~ 50 мВт в непрерывном режиме генерации. Одноканальные инжекционные лазеры обладают высокой когерентностью, длина когерентности составляет более 10 м. Проведено сравнение энергетических характеристик лазеров с шириной активной области 6 и 200 мкм, работающих в одночастотном режиме генерации. Показано, что одноканальные диоды в 10 раз эффективнее преобразуют электрическую энергию в когерентное излучение по сравнению с широкими диодами.
Поступила в редакцию: 15.07.1977
Образец цитирования:
В. С. Каргапольцев, Е. П. Малыгин, В. К. Малышев, В. И. Молочев, К. Н. Нарзуллаев, В. В. Никитин, А. С. Семенов, О. Н. Таленский, “Излучательные характеристики одноканального инжекционного лазера на основе GaAs”, Квантовая электроника, 5:1 (1978), 211–214 [Sov J Quantum Electron, 8:1 (1978), 130–132]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe8454 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v5/i1/p211
|
|