УФ люминесценция эпитаксиальных слоев окиси цинка при однофотонном и двухфотонном возбуждениях

Наблюдалась УФ люминесценция в эпитаксиальных слоях окиси цинка, обусловленная процессами излучательной аннигиляции свободного экситона A, n =1 с одновременным возбуждением нескольких продольных оптических фононов при однофотонном и двухфотонном возбуждениях. Обнаружено стимулированное излучение на фононных повторениях при двухфотонном возбуждении. Показана возможность создания перестраиваемого тонкопленочного лазера в ближней УФ области на основе эпитаксиальных слоев ZnO при двухфотонной накачке.