|
Квантовая электроника, 1978, том 5, номер 1, страницы 150–152
(Mi qe8418)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 16 научных статьях (всего в 16 статьях)
Краткие сообщения
Импульсный лазер на кристаллах Y3Al5O12:Er3+ с высокой концентрацией активатора в частотном режиме
Х. С. Багдасаров, В. П. Данилов, В. И. Жеков, Т. М. Мурина, А. А. Маненков, М. И. Тимошечкин, А. М. Прохоров Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Сообщается об импульсном лазере на кристаллах Y3Al5O12:Er3+ (переход 4I11/2–4I13/2, λ = 2,94 мкм) при концентрациях активатора 30 вес.% (T = 300 K). Частота повторения f = 20 Гц получена в режимах свободной генерации и модулированной добротности. Отмечается, что стимулированное излучение
на данном переходе при T = 300 K получено во всем концентрационном ряду системы Y3Al5O12–Er3Al5O12 при концентрациях Er3+ от 10 до 100 вес. %.
Поступила в редакцию: 27.05.1977
Образец цитирования:
Х. С. Багдасаров, В. П. Данилов, В. И. Жеков, Т. М. Мурина, А. А. Маненков, М. И. Тимошечкин, А. М. Прохоров, “Импульсный лазер на кристаллах Y3Al5O12:Er3+ с высокой концентрацией активатора в частотном режиме”, Квантовая электроника, 5:1 (1978), 150–152 [Sov J Quantum Electron, 8:1 (1978), 83–85]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe8418 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v5/i1/p150
|
|