|
Квантовая электроника, 1978, том 5, номер 1, страницы 148–150
(Mi qe8417)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Краткие сообщения
Влияние поверхностной рекомбинации на порог генерации полупроводниковых лазеров
Е. Ф. Лощенкова, А. Г. Молчанов, Ю. М. Попов Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Для полупроводниковых лазеров, возбуждаемых электронным пучком, исследуется влияние диффузии и поверхностной рекомбинации на пространственное распределение неравновесных носителей по глубине и коэффициент усиления света. Для продольной и поперечной электронной накачек найдены
зависимости порогового тока от длины диффузии, скорости поверхностной рекомбинации и величины «мертвого» слоя.
Поступила в редакцию: 20.05.1977
Образец цитирования:
Е. Ф. Лощенкова, А. Г. Молчанов, Ю. М. Попов, “Влияние поверхностной рекомбинации на порог генерации полупроводниковых лазеров”, Квантовая электроника, 5:1 (1978), 148–150 [Sov J Quantum Electron, 8:1 (1978), 82–83]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe8417 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v5/i1/p148
|
|