В. М. Андреев, Ю. А. Быковский, Е. Н. Вигдорович, А. В. Маковкин, В. Л. Оплеснин, Л. Ф. Плавич, В. Л. Смирнов, А. В. Шмалько, “Планарные волноводы на основе эпитаксиальных слоев GaAsP и GaN для целей интегральной оптики”, Квантовая электроника, 5:1 (1978), 135–138 [Sov J Quantum Electron, 8:1 (1978), 73

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 1978, том 5, номер 1, страницы 135–138 (Mi qe8410)

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Краткие сообщения

Планарные волноводы на основе эпитаксиальных слоев GaAsP и GaN для целей интегральной оптики

В. М. Андреев, Ю. А. Быковский, Е. Н. Вигдорович, А. В. Маковкин, В. Л. Оплеснин, Л. Ф. Плавич, В. Л. Смирнов, А. В. Шмалько

Московский инженерно-физический институт

PDF полного текста (771 kB) Список цитирования (2)

Аннотация: Исследованы основные параметры тонкопленочных оптических волноводов на основе эпитаксиальных монокристаллических слоев GaAs_1–xP_x и GaN, определены потери в них для различных длин волн и рассмотрены возможности их использования в интегральной оптике.

Поступила в редакцию: 19.04.1977

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1978, Volume 8, Issue 1, Pages 73–75
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1978v008n01ABEH008410

Тип публикации: Статья

УДК: 621.373.826:621.396

PACS: 42.80.Lt

Образец цитирования: В. М. Андреев, Ю. А. Быковский, Е. Н. Вигдорович, А. В. Маковкин, В. Л. Оплеснин, Л. Ф. Плавич, В. Л. Смирнов, А. В. Шмалько, “Планарные волноводы на основе эпитаксиальных слоев GaAsP и GaN для целей интегральной оптики”, Квантовая электроника, 5:1 (1978), 135–138 [Sov J Quantum Electron, 8:1 (1978), 73–75]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe8410

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v5/i1/p135

Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы