|
Квантовая электроника, 1978, том 5, номер 1, страницы 135–138
(Mi qe8410)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Краткие сообщения
Планарные волноводы на основе эпитаксиальных слоев GaAsP и GaN для целей интегральной оптики
В. М. Андреев, Ю. А. Быковский, Е. Н. Вигдорович, А. В. Маковкин, В. Л. Оплеснин, Л. Ф. Плавич, В. Л. Смирнов, А. В. Шмалько Московский инженерно-физический институт
Аннотация:
Исследованы основные параметры тонкопленочных оптических волноводов на основе эпитаксиальных монокристаллических слоев GaAs1–xPx и GaN, определены потери в них для различных длин волн и рассмотрены возможности их использования в интегральной оптике.
Поступила в редакцию: 19.04.1977
Образец цитирования:
В. М. Андреев, Ю. А. Быковский, Е. Н. Вигдорович, А. В. Маковкин, В. Л. Оплеснин, Л. Ф. Плавич, В. Л. Смирнов, А. В. Шмалько, “Планарные волноводы на основе эпитаксиальных слоев GaAsP и GaN для целей интегральной оптики”, Квантовая электроника, 5:1 (1978), 135–138 [Sov J Quantum Electron, 8:1 (1978), 73–75]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe8410 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v5/i1/p135
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 138 | PDF полного текста: | 66 |
|