|
Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 9, страницы 2071–2074
(Mi qe8386)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 18 научных статьях (всего в 18 статьях)
Краткие сообщения
Особенности создания инверсной населенности на уровне 4I13/2 ионов эрбия в иттербий-эрбиевых стеклах
E. Ф. Артемьев, А. Г. Мурзин, Ю. К. Федоров, В. А. Фромзель
Аннотация:
Проведено сравнительное исследование фосфатных, германатных и литиево-силикатных стекол, активированных ионами Yb3+ и Er3+, с целью определения их перспективности для создания усилителей коротких (10–8 с) импульсов с длиной волны λ = 1,54 мкм при лазерной накачке (λ = 1,06 мкм). Исследованы особенности спектрально-люминесцентных характеристик этих стекол и кинетика передачи энергии в них. Показано, что рост инверсной населенности на уровне 4I13/2 ионов Er3+ в литиево-силикатных и германатных стеклах сильно отстает от роста поглощенной энергии накачки. Обсуждены возможные механизмы такого аномального поведения. Теоретически и экспериментально показано, что главной причиной этого является обратный перенос энергии возбуждения от ионов Er3+ к ионам Yb3+, практически отсутствующий в фосфатных стеклах.
Поступила в редакцию: 09.02.1981
Образец цитирования:
E. Ф. Артемьев, А. Г. Мурзин, Ю. К. Федоров, В. А. Фромзель, “Особенности создания инверсной населенности на уровне 4I13/2 ионов эрбия в иттербий-эрбиевых стеклах”, Квантовая электроника, 8:9 (1981), 2071–2074 [Sov J Quantum Electron, 11:9 (1981), 1266–1268]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe8386 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v8/i9/p2071
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 153 | PDF полного текста: | 76 |
|