|
Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 11, страницы 2347–2348
(Mi qe8367)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)
Краткие сообщения
Применение кристаллов ГСГГ–Cr, Nd с фотохромными центрами в качестве активных элементов твердотельных лазеров
Е. В. Жариков, А. М. Забазнов, A. М. Прохоров, А. П. Шкадаревич, И. А. Щербаков Институт общей физики АН СССР, Москва
Аннотация:
В кристаллах ГСГГ–Cr, Nd для малых энергий накачки оптимизировано поглощение фототропных центров и создан самомодулирующийся лазер, работающий с КПД 1 % при частоте повторения импульсов 25 Гц и накачке 6 Дж/имп. Энергия импульса генерации 65 мДж, длительность 20 нс. Измерен коэффициент усиления кристаллов ГСГГ–Cr, Nd с фототропными центрами, получена эффективная генерация на переходе 4F3/2→4I13/2(λ = 1,32 мкм), сделан вывод о перспективности применения распределенных фототропных потерь в кристалле ГСГГ–Cr, Nd для подавления паразитных вынужденных переходов.
Поступила в редакцию: 05.03.1986
Образец цитирования:
Е. В. Жариков, А. М. Забазнов, A. М. Прохоров, А. П. Шкадаревич, И. А. Щербаков, “Применение кристаллов ГСГГ–Cr, Nd с фотохромными центрами в качестве активных элементов твердотельных лазеров”, Квантовая электроника, 13:11 (1986), 2347–2348 [Sov J Quantum Electron, 16:11 (1986), 1552–1554]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe8367 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v13/i11/p2347
|
|