Влияние структурных дефектов на порог разрушения кристаллов ZnSe

Установлено, что световой пробой объема ZnSe импульсами τ ~ 100 нс на λ = 10,6 мкм происходит при термоупругом разрушении субмикронных газоселеновых частиц, содержащих поглощающие излучение ассоциаты углерода с кислородом и водородом. Значение пороговой мощности пробоя определяется не столько плотностью частиц, сколько типом дефектов, которые они декорируют. Предложенные классы дефектности кристалла позволяют без разрушающих испытаний оценить уровень объемной лучевой прочности селенида цинка.