Двухфотонное поглощение и оптическое ограничение ИК излучения в антимониде галлия n-типа

Экспериментально и численно исследовано двухфотонное поглощение трехмикронного излучения эрбиевого лазера в кристалле n-GaSb. С использованием экспериментального коэффициента двухфотонного поглощения K² ≈ 0.38 см/МВт и сечения поглощения на свободных носителях σ ≈ 2·10^–17 см² численно смоделировано оптическое ограничение прошедшего через полупроводник излучения.