Определение спектральных зависимостей абсолютных квантовых выходов образования эксимеров XeF(B, C, D) при фотолизе XeF2

Интерес к фотолизу XeF₂, сопровождающемуся образованием возбужденных молекул XeF(B, C, D), обусловлен использованием этой реакции в эксимерных лазерах с оптической накачкой. В работе исследован фотолиз газообразного XeF₂ в спектральном диапазоне 220–108 нм. Установлено, что максимальные значения квантовых выходов образования XeF(B) и XeF(C) составляют в области 140–180 нм 30 ± 9 и 3,5 ± 1 % соответственно (λ_max ≈ 165 нм). Квантовый выход образования XeF (D) в этой области не превышает 1,5%. Обсуждается механизм распада возбужденных молекул XeF₂. Показано, что вклад в полосу поглощения XeF₂, имеющую максимум на 158 нм, вносят несколько электронных переходов. Предполагается, что переход в этой полосе в состояния ¹Π_g или ³Π_u приводит к образованию XeF(D), переход в ¹Π_u – к образованию XeF(X или A), переходы ¹Σ_u⁺ и ³Σ_u⁺ – к образованию XeF(B) и XeF(C) соответственно.