Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 6, страницы 1238–1240 (Mi qe8176)  

Воздействие излучения на вещество

Оптический пробой фтористых кристаллов излучением KrF-лазера с λ = 248 нм

А. Д. Клементов, Н. В. Морозов, В. М. Рейтеров, П. Б. Сергеев

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация: Определялись пороги объемного разрушения выпускаемых промышленностью УФ кристаллов MgF2, CaF2 и LiF излучением KrF-лазера с λ = 248 нм и длительностью импульса 70 нс. Найдена зависимость порогов разрушения этих кристаллов от диаметра фокального пятна при его изменении от 8 до 1600 мкм.
Поступила в редакцию: 22.08.1988
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1989, Volume 19, Issue 6, Pages 801–803
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1989v019n06ABEH008176
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826:535 21
PACS: 42.55.Lt, 42.70.Hj, 52.80.Wq


Образец цитирования: А. Д. Клементов, Н. В. Морозов, В. М. Рейтеров, П. Б. Сергеев, “Оптический пробой фтористых кристаллов излучением KrF-лазера с λ = 248 нм”, Квантовая электроника, 16:6 (1989), 1238–1240 [Sov J Quantum Electron, 19:6 (1989), 801–803]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe8176
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v16/i6/p1238
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024