Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1974, том 1, номер 5, страницы 1175–1179 (Mi qe8145)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

О характеристиках лазера на двуокиси углерода с поперечной прокачкой, работающего в режиме усиления

А. Л. Микаэлян, В. П. Минаев, Ю. А. Обод, Ю. Г. Турков
Аннотация: Исследуется режим усиления CO2-лазера с поперечной прокачкой активной среды. Показано, что энергетическая эффективность лазерной системы с многопроходным усилителем может быть выше, чем эффективность лазера в режиме генерации.
Поступила в редакцию: 28.12.1973
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1974, Volume 4, Issue 5, Pages 643–645
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1974v004n05ABEH008145
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.823
PACS: 42.55.Lt, 42.60.By, 42.60.Da, 42.60.Jf, 42.60.Lh


Образец цитирования: А. Л. Микаэлян, В. П. Минаев, Ю. А. Обод, Ю. Г. Турков, “О характеристиках лазера на двуокиси углерода с поперечной прокачкой, работающего в режиме усиления”, Квантовая электроника, 1:5 (1974), 1175–1179 [Sov J Quantum Electron, 4:5 (1974), 643–645]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe8145
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v1/i5/p1175
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024