Генерация на кристаллах Y3Al5O12:Er3+ (λ = 2,94 мкм) при селективном возбуждении на нижний лазерный уровень

Получена генерация на кристаллах Y_1,5Er_1,5Al₅O₁₂ (λ = 2,94 мкм) при селективной накачке в электронно-колебательное крыло перехода ⁴I_15/2–⁴I_13/2. Показано, что инверсия населенности в YAG:Er³⁺-лазере осуществляется за счет эффективного взаимодействия возбужденных ионов Er³⁺ на уровне ⁴I_13/2 и переноса энергии с нижнего лазерного уровня на верхний по схеме ⁴I_13/2–⁴I_9/2, ⁴I_13/2–⁴I_15/2.