Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1985, том 12, номер 12, страницы 2456–2464 (Mi qe8075)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Аналитическая теория коэффициентов усиления света на переходах Н-ионов в свободно разлетающейся плазме

А. В. Боровский, В. В. Коробкин, Ч. К. Мухтаров

Институт общей физики АН СССР, Москва
Аннотация: Теоретически рассмотрено усиление света на переходах Н-ионов при свободном разлете в вакуум полностью ионизованного сгустка плазмы цилиндрической формы (плазменного шнура). Предложена формула, описывающая выделение рекомбинационного тепла в многозарядной плазме в расчете на один акт тройной рекомбинации ядер. Получено аналитическое выражение, дающее временной ход коэффициента усиления в процессе разлета сгустка с учетом рекомбинационного нагрева электронов. Показано, что для реализации максимальных коэффициентов усиления начальные электронная плотность и температура, а также радиус шнура должны удовлетворять определенному соотношению. Снижение начальной плотности плазмы приводит к некоторому увеличению коэффициента усиления при значительном уменьшении энерговклада. Анализ поведения во времени коэффициента усиления позволяет сделать вывод о перспективности перехода 3–2. При начальных параметрах плазменного шнура N0= 1020см–3, R0 = 10 мкм, Z = 6 ожидаемый максимальный коэффициент усиления κ≈ 1 см–1.
Поступила в редакцию: 22.10.1984
Исправленный вариант: 22.01.1985
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1985, Volume 15, Issue 12, Pages 1623–1628
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1985v015n12ABEH008075
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826:533. 9
PACS: 52.38.Kd, 52.50.Jm


Образец цитирования: А. В. Боровский, В. В. Коробкин, Ч. К. Мухтаров, “Аналитическая теория коэффициентов усиления света на переходах Н-ионов в свободно разлетающейся плазме”, Квантовая электроника, 12:12 (1985), 2456–2464 [Sov J Quantum Electron, 15:12 (1985), 1623–1628]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe8075
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v12/i12/p2456
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:109
    PDF полного текста:75
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024