|
Квантовая электроника, 1985, том 12, номер 12, страницы 2456–2464
(Mi qe8075)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Аналитическая теория коэффициентов усиления света на переходах Н-ионов в свободно разлетающейся плазме
А. В. Боровский, В. В. Коробкин, Ч. К. Мухтаров Институт общей физики АН СССР, Москва
Аннотация:
Теоретически рассмотрено усиление света на переходах Н-ионов при свободном разлете в вакуум полностью ионизованного сгустка плазмы цилиндрической формы (плазменного шнура). Предложена формула, описывающая выделение рекомбинационного тепла в многозарядной плазме в расчете на один акт тройной рекомбинации ядер. Получено аналитическое выражение, дающее временной ход коэффициента усиления в процессе разлета сгустка с учетом рекомбинационного нагрева электронов. Показано, что для реализации максимальных коэффициентов усиления начальные электронная плотность и температура, а также радиус шнура должны удовлетворять определенному соотношению. Снижение начальной плотности плазмы приводит к некоторому увеличению коэффициента усиления при значительном уменьшении энерговклада. Анализ поведения во времени коэффициента усиления позволяет сделать вывод о перспективности перехода 3–2. При начальных параметрах плазменного шнура N0= 1020см–3, R0 = 10 мкм, Z = 6 ожидаемый максимальный коэффициент усиления κ≈ 1 см–1.
Поступила в редакцию: 22.10.1984 Исправленный вариант: 22.01.1985
Образец цитирования:
А. В. Боровский, В. В. Коробкин, Ч. К. Мухтаров, “Аналитическая теория коэффициентов усиления света на переходах Н-ионов в свободно разлетающейся плазме”, Квантовая электроника, 12:12 (1985), 2456–2464 [Sov J Quantum Electron, 15:12 (1985), 1623–1628]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe8075 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v12/i12/p2456
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 109 | PDF полного текста: | 75 | Первая страница: | 1 |
|