|
Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 8, страницы 1671–1679
(Mi qe8033)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Влияние электронной теплопроводности на пороги и динамику развития пробоя диэлектриков, содержащих микровключения
С. И. Анисимов, В. А. Гальбурт, М. И. Трибельский Институт теоретической физики им. Л. Д. Ландау АН СССР, Москва
Аннотация:
Теоретически исследовано влияние электронной теплопроводности ионизованного диэлектрика на характеристики его оптического пробоя, инициированного поглощающими микровключениями. Порог пробоя q* определялся как то минимальное значение интенсивности лазерного излучения, при котором впервые делается невозможным установление в окрестности включения стационарного профиля температуры. Показано, что учет электронной теплопроводности сравнительно мало изменяет q*. Для исследования динамики развития оптического пробоя во времени и пространстве проведено численное интегрирование соответствующих нестационарных уравнений. Порог пробоя, найденный в результате численного расчета, совпадает с результатом аналитического рассмотрения.
Поступила в редакцию: 02.11.1980
Образец цитирования:
С. И. Анисимов, В. А. Гальбурт, М. И. Трибельский, “Влияние электронной теплопроводности на пороги и динамику развития пробоя диэлектриков, содержащих микровключения”, Квантовая электроника, 8:8 (1981), 1671–1679 [Sov J Quantum Electron, 11:8 (1981), 1010–1015]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe8033 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v8/i8/p1671
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 175 | PDF полного текста: | 85 |
|