Влияние электронной теплопроводности на пороги и динамику развития пробоя диэлектриков, содержащих микровключения

Теоретически исследовано влияние электронной теплопроводности ионизованного диэлектрика на характеристики его оптического пробоя, инициированного поглощающими микровключениями. Порог пробоя q* определялся как то минимальное значение интенсивности лазерного излучения, при котором впервые делается невозможным установление в окрестности включения стационарного профиля температуры. Показано, что учет электронной теплопроводности сравнительно мало изменяет q*. Для исследования динамики развития оптического пробоя во времени и пространстве проведено численное интегрирование соответствующих нестационарных уравнений. Порог пробоя, найденный в результате численного расчета, совпадает с результатом аналитического рассмотрения.