Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1997, том 24, номер 1, страницы 25–30 (Mi qe802)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Активные среды

Теоретическое и экспериментальное исследование развития крупномасштабной неустойчивости в разряде XeCl-лазера с УФ предыонизацией

В. М. Борисов, А. В. Демьянов, Ю. Б. Кирюхин

Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований
Аннотация: Теоретически исследована неустойчивость импульсного самостоятельного разряда в XeCl-лазере с магнитопредымпульсным возбуждением с использованием одномерной модели, позволяющей рассчитывать как пространственно-временные распределения компонентов плазмы (электроны, Xe+, Xe*, HCl(v = 0, 1, 2, 3, …)), так и распределения фотонов в резонаторе лазера. Найдены условия ввода энергии в разряд, обеспечивающие его однородное формирование и устойчивое, длительное (~300 нс) существование в объеме 50 × 33 × 820 мм. Эти условия экспериментально реализованы для накачки XeCl-лазера с использованием простой искровой УФ предыонизации. Достигнутая эффективность преобразования электрической энергии, запасенной в формирующих линиях и генераторе предымпульса, в световую составила ~3.6% при энергии генерации ~3.6 Дж. Теоретически и экспериментально исследовано влияние профиля электродов и геометрии обратных токопроводов на характеристики XeCl-лазера.
Поступила в редакцию: 19.06.1996
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1997, Volume 27, Issue 1, Pages 23–28
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1997v027n01ABEH000802
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Lt, 52.80.Hc


Образец цитирования: В. М. Борисов, А. В. Демьянов, Ю. Б. Кирюхин, “Теоретическое и экспериментальное исследование развития крупномасштабной неустойчивости в разряде XeCl-лазера с УФ предыонизацией”, Квантовая электроника, 24:1 (1997), 25–30 [Quantum Electron., 27:1 (1997), 23–28]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe802
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v24/i1/p25
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024