Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1994, том 21, номер 4, страницы 333–336 (Mi qe80)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Многофотонное окрашивание свинцово-силикатных стекол под действием мощного лазерного излучения

О. М. Ефимов, Ю. А. Матвеев, А. М. Мекрюков

НИИ комплексных испытаний оптико-электронных приборов и систем, г. Сосновый Бор, Ленинград. обл.
Аннотация: Исследован механизм образования центров окраски в свинцово-силикатных стеклах под действием мощного лазерного излучения. Установлено, что длинноволновая граница подвижности носителей заряда в этих стеклах (> 5.8 эВ) расположена значительно выше границы фундаментального поглощения (3.5 эВ), вследствие чего окрашивание наблюдается только при многофотонной ионизации матрицы стекла. Показано, что основной вклад в изменение пропускания непосредственно в течение действия импульса лазерного излучения наносекундной длительности вносит поглощение излучения образующимися центрами окраски. Получена оценка коэффициента трехфотонного поглощения стекла ТФ10 на длине волны 527 нм.
Поступила в редакцию: 20.09.1993
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1994, Volume 24, Issue 4, Pages 311–314
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1994v024n04ABEH000080
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 61.72.Ji, 78.50.Ec, 42.62.Hk


Образец цитирования: О. М. Ефимов, Ю. А. Матвеев, А. М. Мекрюков, “Многофотонное окрашивание свинцово-силикатных стекол под действием мощного лазерного излучения”, Квантовая электроника, 21:4 (1994), 333–336 [Quantum Electron., 24:4 (1994), 311–314]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe80
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v21/i4/p333
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:136
    PDF полного текста:73
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024