Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 4, страницы 703–708 (Mi qe7891)  
Физические процессы в лазерах и управление параметрами лазерного излучения

Влияние эффекта "выжигания" на оптическую бистабильность в лазере с насыщающимся поглотителем

Д. В. Хоанг, В. Т. Лам

Ханойский ун-т, Социалистическая республика Вьетнам
PDF полного текста (700 kB)
Аннотация: Рассмотрено влияние эффекта "выжигания" дыры на оптическую бистабильность при работе лазеров, содержащих насыщающиеся поглотители в резонаторе. С использованием скоростного приближения исследованы одномодовый и многомодовый, режимы работы лазера. Полученные результаты показывают, что в многомодовом режиме при некоторых условиях достигаются не только бистабильность, но и мультистабильные состояния.
Поступила в редакцию: 06.01.1988
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1989, Volume 19, Issue 4, Pages 460–463
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1989v019n04ABEH007891
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826
PACS: 42.65.Pc, 42.50.Gy, 42.60.Da, 42.60.Jf, 42.79.Bh


Образец цитирования: Д. В. Хоанг, В. Т. Лам, “Влияние эффекта "выжигания" на оптическую бистабильность в лазере с насыщающимся поглотителем”, Квантовая электроника, 16:4 (1989), 703–708 [Sov J Quantum Electron, 19:4 (1989), 460–463]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe7891
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v16/i4/p703
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:90
    PDF полного текста:56
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024