Полупроводниковый лазер в состоянии захвата внешним излучением

Исследуется эффект инжекционного захвата полупроводникового лазера внешним излучением. Получены и решены уравнения, описывающие лазер в состоянии захвата с учетом спонтанного излучения и возбуждения побочных мод. Проанализирована устойчивость стационарных решений. Показано, что анализ состояния захвата в одномодовом приближении и пренебрежение спонтанным излучением при положительных частотных расстройках дают неверные результаты. Учет побочных мод приводит к уменьшению допустимых значений разности фаз инжектируемого и собственного излучения лазера и к появлению асимметрии зависимости разности фаз от расстройки. По зависимости выходной мощности от инжектируемой определен фактор спонтанного излучения. Экспериментально обнаружено появление в некоторых случаях флуктуаций выходной мощности при захвате.