Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 3, страницы 546–552 (Mi qe7856)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Формирование профиля плотности плазмы вблизи критической поверхности под действием пондеромоторной силы

Н. Н. Демченко, В. Б. Розанов, М. Н. Тагвиашвили

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация: Рассматривается плоское стационарное изотермическое течение плазмы с учетом пондеромоторной силы лазерного излучения, нормально падающего на критическую поверхность. Показано, что в зависимости от скорости и плотности плазмы в надкритической области и от интенсивности падающего излучения переход через точку Жуге может осуществляться как непрерывно, так и через ударную волну. Для непрерывного перехода необходимо, чтобы указанные три параметра удовлетворяли двум соотношениям. При нарушении этих соотношений требуется введение разрыва плотности и скорости. Такой разрыв позволяет выбрать из двух решений, различающихся знаком скорости, одно, которое соответствует ударной волне сжатия. При непрерывном решении возможны оба направления движения.
Поступила в редакцию: 14.12.1987
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1989, Volume 19, Issue 3, Pages 361–365
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1989v019n03ABEH007856
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826:533.9
PACS: 52.30.-q, 52.35.Tc, 52.38.-r, 52.25.Kn


Образец цитирования: Н. Н. Демченко, В. Б. Розанов, М. Н. Тагвиашвили, “Формирование профиля плотности плазмы вблизи критической поверхности под действием пондеромоторной силы”, Квантовая электроника, 16:3 (1989), 546–552 [Sov J Quantum Electron, 19:3 (1989), 361–365]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe7856
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v16/i3/p546
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:125
    PDF полного текста:72
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024