|
Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 3, страницы 538–545
(Mi qe7855)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма
Численный расчет характеристик рекомбинационной накачки в низкотемпературной плазме
А. В. Боровский, В. В. Коробкин, Л. Я. Полонский, Л. Н. Пятницкий, М. И. Увалиев Институт общей физики АН СССР, Москва
Аннотация:
Рассмотрены процессы рекомбинации в многозарядной полностью ионизованной оптически тонкой плазме. В рамках метода стационарного стока проведен численный расчет коэффициентов усиления, нерезонансного поглощения, рекомбинации, тепловыделения в электронном газе как функций электронной температуры, концентрации и заряда ядра иона. Предложен ряд новых аппроксимаций. Впервые очерчена область применимости расчетов.
Поступила в редакцию: 26.11.1987
Образец цитирования:
А. В. Боровский, В. В. Коробкин, Л. Я. Полонский, Л. Н. Пятницкий, М. И. Увалиев, “Численный расчет характеристик рекомбинационной накачки в низкотемпературной плазме”, Квантовая электроника, 16:3 (1989), 538–545 [Sov J Quantum Electron, 19:3 (1989), 356–361]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe7855 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v16/i3/p538
|
|