А. Г. Булушев, Е. М. Дианов, О. Г. Охотников, В. М. Парамонов, “О связи частотной девиации полупроводниковых лазеров при прямой модуляции с дифференциальными электрическими характеристиками инжектирующего p-n-перехода”, Квантовая электроника, 16:3 (1989), 481–483 [Sov J Quantum Electron, 19:3 (1989), 320

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 3, страницы 481–483 (Mi qe7842)

Лазеры

О связи частотной девиации полупроводниковых лазеров при прямой модуляции с дифференциальными электрическими характеристиками инжектирующего p-n-перехода

А. Г. Булушев, Е. М. Дианов, О. Г. Охотников, В. М. Парамонов

Институт общей физики АН СССР, Москва

PDF полного текста (544 kB)

Аннотация: Дано простое соотношение между остаточным дифференциальным сопротивлением инжектирующего p-n-перехода полупроводникового лазера и частотной девиацией его излучения при прямой токовой модуляции. Экспериментальные исследования лазеров на основе GaAs/AlGaAs показали удовлетворительное согласие с предложенной моделью.

Поступила в редакцию: 22.06.1988

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1989, Volume 19, Issue 3, Pages 320–321
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1989v019n03ABEH007842

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf, 42.60.Fc

Образец цитирования: А. Г. Булушев, Е. М. Дианов, О. Г. Охотников, В. М. Парамонов, “О связи частотной девиации полупроводниковых лазеров при прямой модуляции с дифференциальными электрическими характеристиками инжектирующего p-n-перехода”, Квантовая электроника, 16:3 (1989), 481–483 [Sov J Quantum Electron, 19:3 (1989), 320–321]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe7842

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v16/i3/p481

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы