Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 3, страницы 457–462 (Mi qe7834)  

Лазеры

Низкопороговые инжекционные лазеры на 1,3 мкм зарощенного типа с двухканальным боковым ограничением, изготовленные на подложках n-InP

И. В. Акимова, М. Г. Васильев, Е. Г. Голикова, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, В. И. Романцевич, Б. Н. Свердлов, В. И. Швейкин, А. А. Шелякин

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация: Описаны планарные полосковые гетеролазеры С двухканальным ограничением на основе гетероструктуры с трехслойным волноводом в системе InGaAsP/InP. Лазеры работали в непрерывном режиме в спектральном диапазоне 1,3 мкм. Характерные пороговые токи npи T= 300 K составили 20–30 мА (минимальное значение 16 мА). Уровень мощности 10 мВт достигался вплоть до температуры 80°C, максимальная температура, при которой лазеры работали в непрерывном режиме, превышала 100°C. Максимальная мощность излучения при T = 300 K составила 42 мВт. Обсуждается взаимосвязь геометрии структуры и эффективности токового ограничения в лазерах данного типа. Проводится сравнение планарных полосковых лазеров с двухканальным ограничением и лазеров на основе зарощенной мезаполосковой структуры.
Поступила в редакцию: 17.12.1987
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1989, Volume 19, Issue 3, Pages 303–306
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1989v019n03ABEH007834
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.825.4
PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh, 42.60.Pk, 42.60.Jf


Образец цитирования: И. В. Акимова, М. Г. Васильев, Е. Г. Голикова, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, В. И. Романцевич, Б. Н. Свердлов, В. И. Швейкин, А. А. Шелякин, “Низкопороговые инжекционные лазеры на 1,3 мкм зарощенного типа с двухканальным боковым ограничением, изготовленные на подложках n-InP”, Квантовая электроника, 16:3 (1989), 457–462 [Sov J Quantum Electron, 19:3 (1989), 303–306]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe7834
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v16/i3/p457
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:116
    PDF полного текста:67
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024