Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 3, страницы 407–409 (Mi qe7825)  
Письма в редакцию

Определение параметров активной среды рекомбинационного лазера на переходе иона BeIV

Б. А. Брюнеткин, В. М. Дякин, И. Ю. Скобелев, А. Я. Фаенов, С. Я. Хахалин

Всесоюзный научно-исследовательский институт физико-технических и радиотехнических измерений, Менделеево, Моск. обл.
PDF полного текста (570 kB)
Аннотация: Исследован процесс формирования активной среды рекомбинационного лазера на переходе 4f–5g иона BelV в разлетающейся лазерной плазме твердотельной мишени. Спектроскопическими методами измерены электронная плотность и температура в зоне генерации. По этим параметрам определен коэффициент усиления на переходе 4f–5g иона BeIV: на расстояниях от мишени $x\gtrsim0{,}4$ см он составляет $5\cdot10^{-2}-10^{-1}$ см$^{-2}$. Эти значения близки к полученным экспериментально из пороговых характеристик генерации.
Поступила в редакцию: 05.11.1988
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1989, Volume 19, Issue 3, Pages 271–272
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1989v019n03ABEH007825
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.823
PACS: 52.50.Jm, 42.60.Jf, 52.25.Jm, 52.70.Kz
Образец цитирования: Б. А. Брюнеткин, В. М. Дякин, И. Ю. Скобелев, А. Я. Фаенов, С. Я. Хахалин, “Определение параметров активной среды рекомбинационного лазера на переходе иона BeIV”, Квантовая электроника, 16:3 (1989), 407–409 [Sov J Quantum Electron, 19:3 (1989), 271–272]
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BryDyaSko89}
\by Б.~А.~Брюнеткин, В.~М.~Дякин, И.~Ю.~Скобелев, А.~Я.~Фаенов, С.~Я.~Хахалин
\paper Определение параметров активной среды рекомбинационного лазера на переходе иона BeIV
\jour Квантовая электроника
\yr 1989
\vol 16
\issue 3
\pages 407--409
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe7825}
\transl
\jour Sov J Quantum Electron
\yr 1989
\vol 19
\issue 3
\pages 271--272
\crossref{https://doi.org/10.1070/QE1989v019n03ABEH007825}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=A1989U169500001}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe7825
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v16/i3/p407
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:112
    PDF полного текста:56
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024