Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 2, страницы 351–354 (Mi qe7814)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Интегральная и волоконная оптика

Аномальное отражение света от поверхности гофрированного волновода с усилением

И. А. Авруцкий, В. А. Сычугов

Институт общей физики АН СССР, Москва
Аннотация: Решена задача об отражении света от поверхности гофрированного волновода с усилением. Показано, что по мере увеличения коэффициента усиления в волноводе происходят значительный рост коэффициента отражения и уменьшение спектральной ширины пика отражения.
Поступила в редакцию: 08.04.1988
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1989, Volume 19, Issue 2, Pages 235–237
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1989v019n02ABEH007814
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.372.8.029.7
PACS: 42.79.Gn, 42.25.Gy


Образец цитирования: И. А. Авруцкий, В. А. Сычугов, “Аномальное отражение света от поверхности гофрированного волновода с усилением”, Квантовая электроника, 16:2 (1989), 351–354 [Sov J Quantum Electron, 19:2 (1989), 235–237]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe7814
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v16/i2/p351
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024