|
Квантовая электроника, 1996, том 23, номер 9, страницы 785–786
(Mi qe775)
|
|
|
|
Лазеры
Низкопороговые лазеры с длиной волны излучения 1.02 мкм на основе InGaP/InGaAsP
В. П. Дураев, Е. Т. Неделин, А. В. Мельников, М. А. Сумароков, В. А. Шишкин ЗАО "Нолатех" (Новая Лазерная Техника), г. Москва
Аннотация:
Сообщается о создании инжекционных лазеров на основе квантоворазмерных структур InGaP/InGaAsP c длиной волны излучения 1.02 мкм. Благодаря слабой температурной зависимости порогового тока (характеристическая температура T0 = 180 К) эти лазеры не требуют применения cхем охлаждения и поддержания мощности излучения в процессе эксплуатации, что повышает надежность и снижает их себестоимость.
Поступила в редакцию: 01.01.1996
Образец цитирования:
В. П. Дураев, Е. Т. Неделин, А. В. Мельников, М. А. Сумароков, В. А. Шишкин, “Низкопороговые лазеры с длиной волны излучения 1.02 мкм на основе InGaP/InGaAsP”, Квантовая электроника, 23:9 (1996), 785–786 [Quantum Electron., 26:9 (1996), 765–766]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe775 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v23/i9/p785
|
|