|
Квантовая электроника, 1985, том 12, номер 9, страницы 1948–1951
(Mi qe7740)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Краткие сообщения
Изменение дифракционной эффективности решетчатых структур, сформированных в тонких пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников, под действием нейтронного облучения
A. M. Андриеш, В. П. Жорник, А. В. Миронос, А. С. Смирнова Институт прикладной физики АН МССР, Кишинев
Аннотация:
Исследовано влияние достаточно больших потоков нейтронов на свойства дифракционных решетчатых структур, сформированных в тонких пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников системы As–S. Обнаружена существенная зависимость характера изменения дифракционной эффективности и чувствительности материала от состава пленок. Найден способ значительного увеличения дифракционной эффективности и чувствительности для ряда составов при их облучении.
Поступила в редакцию: 26.11.1984
Образец цитирования:
A. M. Андриеш, В. П. Жорник, А. В. Миронос, А. С. Смирнова, “Изменение дифракционной эффективности решетчатых структур, сформированных в тонких пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников, под действием нейтронного облучения”, Квантовая электроника, 12:9 (1985), 1948–1951 [Sov J Quantum Electron, 15:9 (1985), 1284–1287]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe7740 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v12/i9/p1948
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 133 | PDF полного текста: | 73 | Первая страница: | 1 |
|