|
Квантовая электроника, 1996, том 23, номер 9, страницы 773–774
(Mi qe771)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Письма в редакцию
Новый лазерный кристалл BaLu2F8:Nd3+
А. А. Каминскийa, А. В. Буташинa, С. Н. Багаевb a Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, г. Москва
b Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
Создан новый лазерный кристалл BaLu2F8:Nd3+ с низкопороговой импульсной генерацией (канал 4F3/2 → 4I11/2) при 300 К и ламповой накачке. Предварительно изучены его спектрально-люминесцентные характеристики и возбуждение низкопороговой генерации на двух межштарковских переходах генерационного канала 4F3/2 → 4I11/2 ионов Nd3+.
Поступила в редакцию: 01.01.1996
Образец цитирования:
А. А. Каминский, А. В. Буташин, С. Н. Багаев, “Новый лазерный кристалл BaLu2F8:Nd3+”, Квантовая электроника, 23:9 (1996), 773–774 [Quantum Electron., 26:9 (1996), 753–754]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe771 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v23/i9/p773
|
|